第001节_段的概念_重定位的引入

S3C2440的CPU可以直接给SDRAM发送命令、给Nor Flash发送命令、给4K的片上SDRAM发送命令，但是不能直接给Nand Flsh发送命令

假如把程序烧写到Nand Flsh上，即向Nand Flsh烧入** bin** 文件，CPU是无法从Nand Flsh中取代码执行的。

为什还可以使用NAND启动？ 1. 上电后，Nand启动硬件会自动把Nand Flsh前4K复制到SRAM； 2. CPU从0地址运行SRAM；

如果我的程序大于4K怎么办？前4K的代码需要把整个程序读出来放到SDRAM(即代码重定位)。

如果从Nor Flash启动，会出现什么问题？将拨动开关拨到Nor Flash启动时，此时CPU认为的** 0地址 **在Nor Flash上面，片内内存SRAM的基地址就变成了0x40000000(Nand启动时片内内存SRAM的基地址基地址是0)，由于Nor Flash特性：**可以像内存一样读，但不能像内存直接写**，因此需要把全局变量和静态变量重定位放到SDRAM里。

例如执行如下几条汇编指令

MOV R0, #0
LDR R1, [R0] @读有效
STR R1, [R0] @写无效

当程序中含有需要写的全局变量或静态变量时，假如是在Nand Flash可以正常操作，如果是在Nor Flash，修改无效。因此我们需要把全局变量和静态变量重定位放到SDRAM

 
#include "s3c2440_soc.h"
#include "uart.h"
#include "init.h"

char g_Char = 'A';　　／／定义一个全局变量
const char g_Char2 = 'B'; //定义固定的全局变量
int g_A = 0;
int g_B;

int main(void)
{
	uart0_init();

	while (1)
	{
		putchar(g_Char);　/＊让g_Char输出＊／
		g_Char++;         /* nor启动时, 此代码无效 */
		delay(1000000);
	}

	
	return 0;
}

编译运行查看是否有效果

查看sdram.dis文件发现data数据段放在了0x00008474这个地址导致程序太大

在makefile中加入这么一句话

arm-linux-ld -Ttext 0 ** -Tdata 0x800 ** start.o led.o uart.o init.o main.o -o sdram.elf

16进制的800就是十进制的2048 这时我们的bin文件就变为2049

烧写程序

烧写在NORFlash 烧写在NANDFlash观察这两种的效果

设置成NANDFlash启动没有问题显示ABCDE... 设置成NORFlash启动显示AAA... 对于NOR启动时g_Char++; /* nor启动时, 此代码无效 */

Disassembly of section .data:

00000800 <__data_start>:
 800:	Address 0x800 is out of bounds.  //数据段

Disassembly of section .rodata:
							//放在只读数据段内
00000474 <g_Char2>:   		//const char g_Char2 = 'B';
 474:	Address 0x474 is out of bounds.

Disassembly of section .bss:	//bss段

00000804 <g_A>:				//int g_A = 0;

 804:	00000000 	andeq	r0, r0, r0

00000808 <g_B>:				//int g_B;
 808:	00000000 	andeq	r0, r0, r0
Disassembly of section .comment: