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= 第001节_Nor Flash原理及硬件操作 =
Nor Flash的连接线有地址线，数据线，片选信号读写信号等，Nor Flash的接口属于内存类接口，Nor Flash可以向内存一样读，但是不能像内存一样写，需要做一些特殊的操作才能进行写操作，读只需像内存一样读很简单。Nor Flash原理图如图：
[[File:chapter15_lesson1_001.png|800px]]

== Flash介绍 ==
常用的Flash类型有Nor Flash和NAND Flash两种。Nor Flash由Intel公司在1988年发明，以替代当时在市场上占据主要地位的EPROM和E2PROM。NAND Flash由Toshiba公司在1989年发明。两者的主要差别如下表：
{| class="wikitable"
|-
! -   !! Nor !! NAND  
|-
| XIP(代码可以直接运行)      || Yes || no 
|-
| 性能(擦除)      || 非常慢(5s) || 快(3ms) 
|-
| 性能(写)      || 慢 || 快 
|-
| 性能(读)      || 快 || 快 
|-
| 可靠性      || 较高，位反转的比例小于NAND Flash的10% || 比较低，位反转比较常见，必须有校验措施，比如TNR必须有坏块管理措施 
|-
| 可擦除次数      || 10000 ~ 100000 || 100000 ~ 1000000 
|-
| 生命周期      || 低于NAND Flash的10% || 是Nor Flash的10倍以上 
|-
| 接口      || 与RAM接口相同 || I/O接口
|-
| 易用性      || 容易 || 复杂 
|-
| 主要用途      || 常用于保存代码和关键数 || 用于保存数据 
|-
| 价格      || 高 || 低
|}

Nor Flash支持XIP，即代码可以直接在Nor Flash上执行，无需复制到内存中。这是由于NorF lash的接口与RAM完全相同，可以随机访问任意地址的数据。Nor Flash进行读操作的效率非常高，但是擦除和写操作的效率很低，另外，Nor Flash的容量一般比较小。NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高，并且容量更大。一般而言，Nor Flash用于存储程序，NAND Flash用于存储数据。基于NAND Flash的设备通常也要搭配Nor Flash以存储程字。

Flash存储器件由擦除单元（也称为块）组成，当要写某个块时，需要确保这个块己经
被擦除。Nor Flash的块大小范围为64kB、128kB：NAND Flash的块大小范围为8kB，64kB，擦/写一个Nor Flash块需4s，而擦／写一个NAND Flash块仅需2ms。Nor Flash的块太大，不仅增加了擦写时间，对于给定的写操作，Nor Flash也需要更多的擦除操作——特别是小文件，比如一个文件只有IkB，但是为了保存它却需要擦除人小为64kB—128kB的Nor Flash块。

Nor Flash的接口与RAM完全相同，可以随意访问任意地址的数据。而NAND Flash的
接口仅仅包含几个I/O引脚，需要串行地访问。NAND Flash一般以512字节为单位进行读写。这使得Nor Flash适合于运行程序，而NAND Flash更适合于存储数据。

容量相同的情况下，NAND Flash的体积更小，对于空间有严格要求的系统，NAND  Flash可以节省更多空间。市场上Nor Flash的容量通常为IMB~4MB(也有32MB的Nor Flash)，NAND Flash的容量为8MB~512MB。容量的差别也使得Nor Flash多用于存储程序，NAND Flash多用于存储数据。

对于Flash存储器件的可靠性需要考虑3点：位反转、坏块和可擦除次数。所有Flash器件都遭遇位反转的问题：由于Flash固有的电器特性，在读写数据过程中，偶然会产生一位或几位数据错误（这种概率很低），而NAND Flash出现的概率远大于Nor Flash，当位反转发生在关键的代码、数据上时，有可能导致系统崩溃。当仅仅是报告位反转，重新读取即可：如果确实发生了位反转，则必须有相应的错误检测/恢复措施。在NAND Flash上发生位反转的概率史高，推荐使用EDC/ECC进行错误检测和恢复。NAND Flash上面会有坏块随机分布在使用前需要将坏块扫描出来，确保不再使用它们，否则会使产品含有严重的故障。NAND Flash每块的可擦除次数通常在100000次左右，是Nor Flash的10倍。另外，因为NAND Flash的块大小通常是NorF lash的1/8，所以NAND Flash的寿命远远超过Nor Flash。

嵌入式Linux对Nor、NAND Flash的软件支持都很成熟。在Nor Flash上常用jffs2文
件系统，而在NAND Flash常用yaffs文件系统。在更底层，有MTD驱动程序实现对它们的读、写、擦除操仵，它也实现了EDC/ECC校验。 

== Nor Flash的操作 ==
下面我们使用u-boot来体验Nor Flash的操作(开发板设置Nor启动，进入u-boot)。
1)，使用OpenJTAG烧写UBOOT到Nor Flash
那么我们怎么用u-boot来操作呢？
Nor Flash手册里会有一个命令的表格，如图：
[[File:chapter15_lesson1_002.png|800px]]
下面简单的举一些例子：
复位(reset)：往任何一个地址写入F0。
读ID(ReadSiliconID)：很多的Nor Flash可以配置成位宽16bit(Word)，位宽8bit(Byte)。对于我们使用的jz2440开发板使用是位宽16bit，怎样读ID呢？
根据前面得图可知，往Nor Flash的555地址写AA，再往2AA的地址写入55，再往555的地址写入90，然后就可以读ADI地址，就可以读到DDI数据了。

'''实例1'''

读数据：
在u-boot上执行：md.b0
结果(和我们烧进去的数据完全一样)：
<syntaxhighlight lang="c" >
00000000:170000ea14f09fe514f09fe514f09fe5................
00000010:14f09fe514f09fe514f09fe514f09fe5................
00000020:6001f833c001f8332002f8338002f833`..3...3..3...3
00000030:e002f8330004f8332004f833efbeadde...3...3..3....
</syntaxhighlight>
可以得出结论：u-boot可以像读内存一样来读nor flash

'''实例2'''

读ID(参考Nor手册)
	往地址555H写入AAH(解锁)
	往地址2AAH写入55H(解锁)
	往地址555H写入90H（命令）
	读0地址得到厂家ID(C2H)
	读1地址得到设备ID(22DAH或225BH)
	退出读ID状态：给任意地址写F0H就可以了。

下图为2440和Nor Flash的简易连接图：
[[File:chapter15_lesson1_003.jpg|800px]]
2440的A1接到Nor的A0所以2440发出的地址是，Nor Flash收到的地址左移一位。比如：2440发出(555H<<1)地址，Nor Flash才能收到555H这个地址。
下面对在Nor Flash的操作，2440的操作，U-BOOT上的操作进行比较，如下表：
{| class="wikitable"
|-
! Nor Flash的操作  !! 2440的操作 !! U-BOOT上的操作  
|-
| 往地址555H写入AAH(解锁)      || 往地址AAAH写入AAH(解锁) || mw.waaaaa 
|-
| 往地址2AAH写入55H(解锁)      || 往地址554H写入55H(解锁) || mw.w 554 55
|-
| 往地址555H写入90H（命令）      || 往地址AAAH写入90H（命令） || mw.w aaa 90 
|-
| 读0地址得到厂家ID(C2H)      || 读0地址得到厂家ID(C2H) || md.w  0  1 (1:表示都一次) 
|-
| 读1地址得到设备ID(22DAH或225BH)      || 读2地址得到设备ID(22DAH或225BH) || md.w  2  1 (1:表示都一次)
|-
| 退出读ID状态：给任意地址写F0H就可以了      || 退出读ID状态：给任意地址写F0H就可以了 || mw.w  0  f0
|}

1），当执行过md.w  0  1
结果(输出厂家ID)：
00000000:00c2..(00c2就是厂家ID)
2），当执行过md.w  2  1
结果(输出设备ID)：
00000002:2249I"(2249就是设备ID)

3），当执行mw.w  0  f0，就退出读ID的状态，
执行：md.b0
结果：
00000000:17.（读到的就是Nor Flash地址·0的数据）

== Nor Flash的两种规范 ==
通常内核里面要识别一个 Nor Flash 有两种方法：
一种是 jedec 探测，就是在内核里面事先定义一个数组，该数组里面放有不同厂家各个芯片的一些参数，探测的时候将 flash 的 ID 和数组里面的 ID 一一比较，如果发现相同的，就使用该数组的参数。jedec 探测的优点就是简单，缺点是如果内核要支持的 flash 种类很多，这个数组就会很庞大。内核里面用 jedec 探测一个芯片时，是先通过发命令来获取 flash 的 ID，然后和数组比较，但是 flash.c 中连 ID 都是自己通过宏配置的。
一种是 CFI(commonoflashinterface)探测，就是直接发各种命令来读取芯片的信息，比如 ID、容量等，芯片本身就包含了电压有多大，容量有有多少等信息。
下面对在Nor Flash上操作，2440上操作，U-BOOT上操作cfi 探测（读取芯片信息）进行比较参考芯片手册。
{| class="wikitable"
|-
! Nor Flash上操作cfi  !! 2440上操作cfi !! U-BOOT上操作cfi
|-
| 往55H地址写入98H     || 往AAH地址写入98H || mw.w  aa  98
|-
| 读地址10H得到0051     || 读地址20H得到0051|| md.w  20  1
|-
| 读地址11H得到0052      || 读地址22H得到0052	 || md.w  22  1
|-
| 读地址12H得到0059     || 读地址24H得到0059 || md.w  24  1
|-
| 读地址27H得到容量    || 读地址4EH得到容量 || md.w  4e  1
|}

== Nor Flash写数据 ==
我们在Nor Flash的10000的地址读数据，
md.w  100000  1
结果：
00100000:ffff..
在noroflash的10000的地址写数据下0x1234，
mw.w 100000   1234
然后在这个地址读数据，
md.w  100000  1
结果：
00100000:ffff(这个地址上的数据没有被修改，写操作无效)。

怎样把数据写进Nor Flash进去呢？参考图1-3，写数据之前必须保证，要写的地址是擦除的。下面是Nor Flash的写操作，如下表：
{| class="wikitable"
|-
! Nor Flash上操作写操作   !! 2440上操作写操作 !! U-BOOT上操作写操作  
|-
| 往地址555H写AAH(解锁)     || 往地址AAAH写AAH(解锁) || mw.w  aaa  aa 
|-
| 往地址2AAH写55H(解锁)     || 往地址554H写55H(解锁) || mw.w  554  55
|-
| 往地址555H写A0H     || 往地址AAAH写A0H || mw.w  aaa  a0 
|-
| 往地址PA写PD      || 往地址0x100000写1234h || mw.w  100000  1234
|}

1)，U-BOOT执行完上述指令后，0x1234，就被写到0x100000地址处，
执行：md.w1000001
结果(1234被写进去)：
00100000:1234   4
从这里可以看出来U-BOOT的操作不是很复杂。

2），我们再次往0x100000地址处，写入0x5678,执行如下命令：
mw.w  aaa  aa
mw.w  554  55
mw.w  aaa  a0
mw.w  100000  5678
查看0x100000地址处的数据
md.w  100000  1
结果：
00100000:12300.
0x100000地址处的数据不是0x5678，写操作失败，失败的原因是，原来的数据已经是0x1234不是全0xffff，再次写操作失败，(Nor Flash只有先擦出，才能烧写)。

先擦除(参考Nor Flash芯片手册)
Nor Flash操作      u-boot操作
555H AAH      mw.w   aaa    aa
2AAH 55H      mw.w   554    55
555H 80H      mw.w    aaa   80
555H AAH      mw.w   aaa    aa
2AAH 55H      mw.w   554    55
SA  30H //往扇区地址写入30   mw.w  100000  30

执行完上述指令后测试
执行：md.w  100000  1
结果：00100000:ffff..
已被擦除，这个时候再次烧写就不会有问题了。

再烧写
mw.w  aaa   aa
mw.w  554   55
mw.w  aaa   a0
mw.w  100000  5678

测试烧写结果
执行：md.w  100000  1
结果：00100000:5678  xV
数据被烧写进去，烧写成功。

总结：我们烧写时，如果上面的数据，不是0ffff,没有被擦除过，我们就要先擦出，擦除完后，才可以烧写，擦除烧写的命令可以从芯片手册里面获得。


= 第002节_Nor Flash编程_识别 =



= 第003节_Nor Flash编程_擦写读 =




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